hfte3单晶中发现高压诱导的高度各向异性超导电性-凯发k8官网手机客户端

科研进展

hfte3单晶中发现高压诱导的高度各向异性超导电性

来源:物理研究所发布时间:2021-11-16

  电荷密度波(cdw)和超导电性(sc)是凝聚态体系中两种典型的与强电-声耦合和费米面不稳定性密切相关的集体电子行为。cdw往往出现在低维结构的材料体系中,而sc是一种三维的宏观量子现象。实验研究表明,在许多低维cdw材料中通过掺杂、加压等调控手段破坏cdw可以诱导出sc。因此,对cdw材料进行物态调控并揭示cdw与sc之间的密切联系是凝聚态物理的重要研究内容之一。

  在已知的cdw材料中,具有强烈准一维结构特征的zrte3(图1)呈现出非常特殊的物理性质:随温度降低,zrte3首先在tcdw≈63k形成主要沿着a轴(即-te2-te3-一维链)的cdw,然后在更低温度出现各向异性超导态,即a轴电阻从约4k开始下降,直到约2k达到零电阻,表现出较宽的超导转变,而b轴电阻在约2k出现陡峭的超导转变。目前的研究认为,zrte3中的各向异性的超导转变是由于在a轴方向发生了从局域配对(local pair,2k < t < 4k)到库珀对(t < 2k)的渡越。尽管常压下各向异性sc与cdw共存,但对zrte3施加压力,二者又表现出明显的竞争关系,即随压力增加,tcdw先升高后降低直至消失,同时各向异性sc先被完全抑制,然后又出现“再入超导”现象。zrte3中各向异性sc的起源以及sc与cdw的共存与竞争机制仍不清楚。2017年,中国科学院物理研究所sc10组张帅副研究员、陈根富研究员等成功制备出与zrte3具有相似晶体结构的高质量hfte3单晶[phys. rev. b 96, 174510 (2017)],为解决上述问题提供了契机。常压下,hfte3单晶在较高tcdw≈93k发生cdw转变,但降至50mk都没有观察到超导迹象,即cdw与sc不共存,这与zrte3明显不同,从而为高压下揭示这类材料中cdw与sc的关系提供了绝佳平台。

  最近,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心极端条件物理重点实验室/怀柔研究部ex6组的联培博士生刘子儀在程金光研究员的指导下,与张帅副研究员和陈根富研究员、a06组李俊副研究员和杨槐馨研究员,联合哈尔滨工业大学隋郁教授、中国人民大学刘凯教授以及日本东京大学的y. uwatoko教授等合作者,采用活塞-圆筒以及六面砧大腔体高压低温物性测量装置,在12gpa静水压、1.5k最低温和8t磁场的综合极端环境下,对高质量hfte3单晶开展了细致的各向异性电输运高压测量。研究发现,对hfte3单晶施加约5gpa的高压可以完全抑制其cdw,同时a轴电阻在约4-5k开始出现sc,然而bc轴电阻降至1.5k都没有出现明显的超导迹象,这不仅揭示了cdw与sc的竞争关系,而且证实了超导态具有强烈的准一维各向异性。

  他们利用低温透射电镜技术(图2),从实验上首次确定了hfte3单晶在tcdw以下cdw的波矢q = 0.91(1)a* 0.27(1)c*。然后,详细测量了hfte3单晶沿着三个不同晶轴方向的电输运性质随压力的变化。压力下的a轴电阻结果表明(图3),随压力增加,cdw首先向高温移动,在约1.5gpa时tcdw达到最高值,然后又逐渐向低温移动,在pc≈5gpa时cdw被完全抑制,之后电阻在4-5k的低温出现明显降低,且电阻下降的幅度随压力升高而逐渐增加,10gpa时在约2k可以实现零电阻,而且增大电流或施加磁场还能部分抑制掉电阻下降,这表明当cdw被抑制掉后很可能发生了超导转变。上述结果在两个样品(#2和#3)中得到了很好的重复。然而,高压下的交流磁化率测试却不能观察到明显的超导抗磁信号,这意味着高压下的超导并不是体超导!他们又在高压下测试了其他两个方向的电阻(图4),结果表明,在a轴电阻已达到零电阻的压力,b轴电阻在降至1.5k都没有显著的电阻下降(#4样品)或者由于电极倾斜的测量原因而导致稍微下降(#5样品),而且c轴电阻不仅没有降低反而在低温出现上翘。这些实验结果排除了a轴出现的超导转变来源于杂质的影响,而且表明hfte3单晶在高压下出现的超导态具有强烈的准一维特性。对于#3样品,9、11、12.5gpa时超导转变附近的溢出电导率与约化温度的关系,可以用一维aslamazov-larkin模型很好拟合(图5),这进一步印证了该超导态的准一维特征。基于上述测试结果,他们建立了hfte3单晶的温度-压力相图(图6),显示出cdw与准一维sc的完全竞争关系。

  为了深入理解上述实验结果,他们又结合原位高压xrd数据和第一性原理计算,对比分析了压力对hfte3和zrte3的电子结构和费米面的影响(图7)。结果表明,二者的电子结构相似,即布里渊区(bz)中心有一个三维费米面(3d-fss),bz边界处有准一维费米面(q1d-fss)。随着压力增加,bz中心附近的3d-fss膨胀,与q1d-fss的重叠增强,膨胀的3d-fss使费米能附近的q1d-fss占比减少,导致q1d-fss沿a*方向嵌套强度减弱,最终抑制cdw,同时强的电-声耦合和费米面失稳也容易造成超导态。由于hfte3中窄带电子主要来源于-te2-te3-链的te-5px轨道,局域配对更容易沿a轴方向形成,因此电阻下降更容易沿a轴方向发生,呈现准一维超导特性。相比hfte3,常压下zrte3的3d-fss较大,在5gpa压力下沿a*方向甚至形成开放的口袋。这意味着,zrte3中q1d-fss嵌套导致的cdw弱于hfte3,与实验中观察到的hfte3tcdw≈93k高于zrte3tcdw≈63k吻合。因此,hfte3中的各向异性超导态可以维持在一个更宽的温度和压力范围,这也使其成为研究准一维超导和局域配对的理想材料平台。

  相关工作近期发表在npj quantum materials,得到了北京市自然科学基金、国家自然科学基金委、科技部重点研发计划、中科院b类先导专项的资助。

[1] liu z y, li j, zhang j f, li j, yang p t, yang h x, zhang s, chen g f, uwatoko y, sui y, liu k, cheng j g, quasi-one-dimensional superconductivity in the pressurized charge-density-wave conductor hfte3. npj quantum materials 6, 90 (2021).
链接:https://www.nature.com/articles/s41535-021-00393-8


图1 zrte3(hfte3)的晶体结构示意图


图2. 基于低温透射电镜技术表征hfte3单晶中的电荷密度波


图3. 不同压力下hfte3单晶沿a轴的电阻(#2和#3样品)


图4. 不同压力下hfte3单晶沿b轴(#4和#5样品)和c轴(#6样品)的电阻


图5. #3样品在9、11、12.5gpa下的溢出电导率与约化温度的关系


图6. hfte3单晶的温度-压力相图


图7. 压力对hfte3和zrte3费米面的影响


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